enero 21, 2026
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Liputan6.com, Yakarta – Según se informa, Samsung está preparando su último procesador insignia para 2027, el Exynos 2700. Se espera que este chip aporte mejoras significativas en rendimiento, eficiencia energética y gestión térmica.

Mucha gente cree que la medida del gigante tecnológico surcoreano es eliminar el estigma de Exynos en la línea telefónica premium.

Se dice que el Exynos 2700, cuyo nombre en código es Ulysses, es el cerebro principal de la serie Galaxy S27. La atención se centra principalmente en superar dos problemas clásicos de Exynos: el sobrecalentamiento y el consumo de energía menos eficiente.

Cita GizmochinaEl martes (21/01/2026), una filtración de Kaulenda decía que el Exynos 2700 se fabricará utilizando el proceso de 2 nm de segunda generación de Samsung Foundry, conocido como SF2P.

Esta tecnología presenta una arquitectura Gate All Around (GAA) mejorada. Se dice que esta tecnología puede aumentar el rendimiento hasta en un 12 por ciento y reducir el consumo de energía hasta en un 25 por ciento en comparación con el Exynoss 2600 basado en SF2.

En base a esto, se espera que el núcleo de CPU principal del Exynos 2700 pueda alcanzar una velocidad de reloj estable de 4,2 GHz. En cuanto a la arquitectura, se rumorea que Samsung adoptará el núcleo C2 de próxima generación de ARM, que podría llamarse C2-Ultra y C2-Pro.

Se cree que este cambio resultará en un aumento del IPC (Instrucciones por Reloj) de hasta un 35 por ciento. Y se espera que la puntuación de Geekbench 6 alcance hasta 4.800 para un solo núcleo y 15.000 para varios núcleos.

Para resolver el tema candente, Samsung habría implementado la tecnología de empaquetado FOWLP lado a lado (SbS). A diferencia de los métodos tradicionales de apilamiento vertical, esta tecnología coloca chips y DRAM horizontalmente debajo de un bloque de cobre caliente.

Este diseño aumenta el área de contacto con el sistema de enfriamiento, mejorando así la disipación de calor bajo cargas de trabajo pesadas, como juegos o procesamiento de IA.

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