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JACARTA – En un avance que podría remodelar la carrera global de semiconductores, Huawei ha presentado una patente que muestra un camino para producir chips de clase 2 nm utilizando únicamente herramientas de litografía ultravioleta profunda (DUV). Huawei solo puede acceder a equipos de litografía DUV porque los controles de exportación occidentales bloquean la disponibilidad de las máquinas de ultravioleta extremo (EUV) de ASML, que se utilizan ampliamente y se consideran la única forma de fabricar chips de 2 nm.
La patente, presentada originalmente en 2022 pero recientemente publicada y firmada por el veterano investigador de semiconductores Dr. Frederick Chen, explica la técnica avanzada de patrones múltiples que permitió a Huawei y su socio de fabricación SMIC lograr un paso de metal extremadamente estrecho de 21 nm, una dimensión crítica que coloca los nodos resultantes a la par con los procesos de “clase de 2 nm” preparados por TSMC y Samsung, los cuales dependen en gran medida de la litografía EUV.
Como informa Gizmochina, el núcleo del enfoque de Huawei es un flujo optimizado de patrón cuádruple autoalineado (SAQP). Según se informa, esto reduce el número de exposiciones DUV necesarias a solo cuatro, una mejora significativa con respecto a los sistemas multipatrón tradicionales que a menudo requieren más pasadas y aumentan drásticamente la complejidad.
Al llevar su infraestructura DUV existente al límite, la compañía pretende crear una transición directa desde su Kirin 9030 recientemente introducido (construido en el nodo N+3 de SMIC) a futuras ofertas de generación de 2 nm sin tener que depender de dispositivos EUV limitados.
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